Premiera procesorów Intel Alder Lake oficjalnie wprowadziła DDR5 do głównego nurtu, dając użytkownikom możliwość wyboru starszej platformy opartej na DDR4 lub nowej DDR5. Niestety, ciągłe braki chipów i opóźnienia w dostawach sprawiły, że nowe pamięci stały się już praktycznie niedostępne dla większości konsumentów, dlatego realnie rzecz biorąc DDR5 wciąż jest pieśnią przyszłości. Tymczasem Samsung rozwija swoje plany względem DDR6.
Samsung RAM DDR6
Podczas tegorocznego Samsung Tech Day gigant zdradził plany rozwoju pamięci następnej generacji, które z pewnością przyciągną uwagę maniaków prędkości na całym świecie. DDR5 podwoiła prędkość DDR4 w standardzie JEDEC, zwiększając ją z 3200 megatransferów na sekundę (MT/s) do 6400 MT/s. Choć nie został on jeszcze zaakceptowany jako standard JEDEC, Samsung zamierza ponownie podwoić standardową prędkość DDR6, zwiększając ją do niebotycznych 12 800 MT/s, z teoretycznymi prędkościami podkręcania sięgającymi nawet 17 000 MT/s. Standard jest obecnie we wczesnej fazie rozwoju i ma zostać zaakceptowany w 2024 roku. DDR6 nie jest jedynym nowym standardem pamięci na horyzoncie. Samsung wspomniał również o dalszym rozwoju dedykowanego układom graficznym GDDR6, z planowanym standardem GDDR6+ osiągającym prędkość do 24,000 MT/s.
Zobacz też: Smartfon, który bez problemu odnajdziesz w tłumie, czyli jak łamać schematy
Samsung depcze również po piętach jednemu ze swoich głównych konkurentów, firmie SK Hynix, która niedawno zakończyła prace nad pierwszą serią pamięci o wysokiej przepustowości 3 (HBM3). Samsung planuje rozpocząć produkcję HBM3 już w drugim kwartale 2022 roku. Pamięć HBM oferuje użytkownikom wysokowydajnych systemów obliczeniowych (HPC) szybszą, bardziej energooszczędną, ale droższą alternatywę dla tradycyjnej pamięci GDDR. Poprzednia generacja, HBM2, wykorzystywana była w procesorach graficznych AMD z serii Vega, Radeon VII i Radeon Pro, a także w procesorach graficznych Nvidii, w tym Titan V i Quadro GP100. Podobnie jak DDR5, DDR6 zwiększy liczbę kanałów i banków na każdym module. Te różnice w architekturze, jak również inne czynniki, takie jak taktowanie pamięci, opóźnienia, zarządzanie energią i możliwości kodów korekcji błędów (ECC), są czynnikami wpływającymi na zdolność firmy Samsung do dalszego przesuwania granic szybkości i niezawodności pamięci.
Źródło: TechSpot