Data premiery realme GT NEO 3 jest znana – ma to być „najszybciej ładujący się telefon na świecie”

Dosłownie przed chwilą data premiery realme GT NEO 3 została oficjalnie potwierdzona przed producenta. Smartfon zadebiutuje już za niecały tydzień, choć na początku tylko na rynku chińskim. Obok tego urządzenia trudno przejść obojętnie, głównie ze względu na błyskawiczne ładowanie.

Data premiery realme GT NEO 3

Nowy smartfon od realme ma zadebiutować już 22 marca. Fani marki z naszego regionu niestety muszą jeszcze uzbroić się w cierpliwość, ponieważ ta data dotyczy premiery na chińskim rynku. Praktycznie pewne jest już jednak, że GT NEO 3 pojawi się w Polsce. Producent zapewnił, że będzie informował o dostępności smartfona w naszym kraju na bieżąco, zatem w najbliższym czasie możemy spodziewać się stosownego ogłoszenia.

Podczas tegorocznych targów Mobile World Congress ogłoszono, że realme GT NEO 3 będzie korzystał z ładowania 150 W. W praktyce oznacza to, że naładowanie 50% baterii smartfona zajmie zaledwie 5 minut. Umożliwia to technologia UltraDart Charging (UDCA – UltraDart Charging Architecture). To nowe rozwiązanie pozwalające obsłużyć moc ładowania z przedziału 100-200 W. W przypadku realme GT NEO 3 mamy do czynienia z ładowaniem dokładnie w połowie tego zakresu. Będzie to najszybciej ładujący się telefon na świecie – tak o swoim nowym smartfonie mówi realme.

UltraDart Charging Architecture korzysta z pomp ładujących Multi Boost Charge Pumps, które zwiększają prąd ładowania. Naturalnie przy tak szybkim uzupełnianiu energii w smartfonie pojawiają się obawy o zbytnie nagrzewanie się sprzętu. Funkcja Ultra Heat Management wraz z algorytmem zarządzania temperaturą mają jednak sprawić, że temperatura urządzenia będzie utrzymywana poniżej 43°C. Co z wytrzymałością akumulatora po dłuższym czasie użytkowania? Producent zastosował baterie litowe, które mają zachowywać do 80% pojemności przy ponad 1000 pełnych cyklach ładowania. Oprócz tego realme ogłosiło, że GT NEO 3 będzie jednym z pierwszych smartfonów wyposażonych w procesor MediaTek Dimensity 8100. To układ wykonany w technologii 5 nm, korzystający z czterech rdzeni Cortex-A78 (2,85 GHz) i czterech Cortex-A55 (2,0 GHz).

Czytaj także: Realme Pad Mini na kolejnym etapie rozwoju – tablet trafi do Europy

Jeśli zapewnienia realme co do szybkości ładowania potwierdzą się po debiucie GT NEO 3 na rynku, to smartfon może przebić pod tym względem Xiaomi 11T Pro. Tamten model oferuje ładowanie 120 W i ładuje się do 100% w niecałe 20 minut, czy wywołał niemałe emocje w branży.

źródło: informacja prasowa