Firma Samsung ogłosiła na konferencji Hot Chips 33, że opracowała pierwszy w branży moduł pamięci DDR5-7200 o pojemności 512 GB. W porównaniu do DDR4 moduł pamięci DDR5-7400 firmy Samsung oferuje o 40% wyższą wydajność i dwukrotnie większą pojemność przy napięciu zaledwie 1,1 V. Rzecz jasna RAM o wyższej pojemności, niż pamięć masowa w wielu netbookach nie jest czymś, czego w najbliższym czasie możemy się spodziewać w komputerach klasy PC.
Samsung 512 GB RAM DDR 5
Firma zbudowała swój moduł pamięci DDR5-7200 z ośmiu ułożonych w stos matryc DDR5, które są połączone ze sobą za pomocą technologii TSV (through-silicon-via). Jest to ogromna poprawa w stosunku do DDR4, która wcześniej była ograniczona do czterech matryc DDR4. Pomimo bardziej złożonej konstrukcji, stos DDR5 mierzy 1,0 mm w porównaniu do 1,2 mm w przypadku DDR4. Wykorzystując techniki obróbki cienkich wafli, Samsung był w stanie zmniejszyć odstępy pomiędzy matrycami o 40%, co pozwoliło na zmniejszenie wysokości stosu. Zgodnie z prezentacją, producent zaimplementował w swoich modułach pamięci DDR5-7200 technologię Same-Bank refresh (SBR). Samsung mówił o wzroście wydajności magistrali DRAM nawet o 10%. Firma wspomniała również o nowym korektorze ze sprzężeniem zwrotnym (DFE), który pomaga poprawić stabilność sygnału.
Zobacz też: Microsoft Edge 94 z kolejnymi nowościami. Można już je wypróbować
Moduł pamięci DDR5-7200 pracuje przy napięciu 1,1 V. Zwiększona wydajność energetyczna była możliwa dzięki wysokowydajnemu układowi zarządzania energią (PMIC), regulatorowi napięcia i procesowi High-K Metal gate. Samsung stwierdził, że jego PMIC nie tylko przyczynia się do obniżenia napięcia pracy, ale również zmniejszył szum w procesie technologicznym. Zgodnie z oczekiwaniami dotyczącymi DDR5, moduł pamięci firmy Samsung wyposażony jest w kod korekcji błędów na nośniku (ODECC), aby zapewnić mniej zawodną i bezpieczną obsługę danych. Moduł pamięci DDR5 o pojemności 512 GB firmy Samsung jest ekscytujący, ale jest skierowany na rynek centrów danych i serwerów. Konsumenckie pamięci DDR5 będą prawdopodobnie ograniczone do 64 GB. Jednak w przypadku płyt z czterema slotami teoretycznie mowa będzie już o 256 GB RAM. Samsung spodziewa się, że masowa produkcja modułów pamięci DDR4-7200 512GB rozpocznie się pod koniec 2021 roku. Firma uważa, że przejście DDR5 na rynek mainstreamowy nastąpi dopiero w 2023 lub 2024 roku.
Źródło: Tomshardware