Samsung po raz kolejny prezentuje swoje osiągnięcia w zaawansowanej technologii miniaturyzacji procesów litograficznych. Podczas niedawnej imprezy w Santa Clara w Kalifornii, firma ogłosiła, że jej rozwój procesu 3 nm gate-around (GAA) jest na dobrej drodze. Może to być jeden z największych etapów produkcji od wielu lat, który przyspieszy innowacje w technologiach następnej generacji, takich jak sztuczna inteligencja i autonomiczna jazda.
Samsung zaprezentował litografię 3 nm
Samsung zmniejsza rozmiar układu scalonego nawet o 45%, zużywając przy tym o 50% mniej energii i zwiększając wydajność o 35%. Proces, jakim jest Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), opatentowana przez Samsunga wersja GAA, wykorzystuje pionowo ułożoną architekturę nanosheet. Pozwala ona na uzyskanie większego prądu na stos w porównaniu z procesem FinFET. Samsung udostępnił już klientom w kwietniu wersję 0.1 swojego zestawu do projektowania procesów (PDK).
Zobacz też: Gry z komputera wreszcie na iPhone! Steam Link ponownie w App Store
Dzielenie się zestawem skróci czas wprowadzania produktów na rynek i poprawi konkurencyjność projektowania dla klientów. Samsung również wykorzystał swój testowy projekt pojazdu i teraz skupi się na poprawie jego wydajności i wydajności energetycznej. Producent planuje się rozpocząć masową produkcję urządzeń procesowych 6 nm w drugiej połowie tego roku. Proces FinFET 5 nm, który został opracowany w kwietniu, ma zostać zakończony do końca tego roku. Masowa produkcja została zaplanowana na pierwszą połowę 2020 roku. Firma spodziewa się również zakończenia rozwoju procesu 4 nm do końca tego roku. Samsung nie wyznaczył jeszcze ram czasowych dla procesu GAA 3 nm. Rozwój technologii 3 nm jest niezwykle ważny dla Samsunga. Dzięki niemu będzie mógł podjąć walkę ze swoim największym konkurentem na rynku układów scalonych, którym jest TSMC.
Źródło: Sammobile