IBM i Samsung twierdzą, że dokonały przełomu w projektowaniu półprzewodników. W pierwszym dniu konferencji IEDM w San Francisco, obie firmy zaprezentowały nowy projekt pionowego układania tranzystorów na chipie. W obecnych procesorach i układach SoC tranzystory leżą płasko na powierzchni krzemu, a prąd elektryczny przepływa poziomo, równolegle do powierzchni wafla krzemowego. W przeciwieństwie do nich, tranzystory VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) leżą prostopadle do siebie, a prąd płynie pionowo.
Nowe tranzystory Samsunga i IBM
Według IBM i Samsunga taka konstrukcja ma dwie zalety. Po pierwsze, pozwoli im ominąć wiele ograniczeń wydajności, aby rozszerzyć prawo Moore’a poza obecną technologię nanopłytek IBM. Co ważniejsze, dzięki większemu przepływowi prądu, konstrukcja ta prowadzi do mniejszego marnotrawstwa energii. Szacują, że VTFET doprowadzi do powstania procesorów, które będą albo dwukrotnie szybsze, albo będą zużywać o 85% mniej energii niż układy zaprojektowane z tranzystorów FinFET. Nie jest jednak możliwe osiągnięcie dwóch tych cech jednocześnie.
Zobacz też: Assassin’s Creed — seria, która pochłonęła moje serce
Obie firmy twierdzą, że proces ten może pewnego dnia pozwolić na stworzenie telefonów, które będą działać przez cały tydzień na jednym ładowaniu. Przy okazji też niektóre energochłonne zadania, w tym wydobywanie kryptowalut, będą bardziej energooszczędne, a tym samym mniej szkodliwe dla środowiska. IBM i Samsung nie powiedziały jeszcze, kiedy planują skomercjalizować projekt. Najprawdopodobniej miną długie lata, nim zobaczymy pierwsze procesory korzystające z tych rozwiązań.
Źródło: Engadget