Samsung ogłosił, że rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM w procesie technologicznym 14 nm EUV. Warto tu dodać, że o ile w przypadku procesorów wygląda to na już leciwą technologię, to jeśli chodzi o układy DRAM, jest to najniższy wykorzystywany proces. Liczba warstw EUV została zwiększona do pięciu, co także jest olbrzymim krokiem naprzód.
Samsung DDR5 7200 14 nm
Wykorzystując najnowszy standard DDR5, Samsung twierdzi, że jego 14 nm DRAM pomoże odblokować prędkości do 7,2 gigabitów na sekundę. Dla porównania jest to ponad dwukrotnie większa prędkość niż w przypadku DDR4, która wynosi do 3,2 Gbps. Oczywiście w obydwu przypadkach mowa jest o prędkościach katalogowych. Samo DDR5 ma się natomiast podkręcać przynajmniej równie dobrze, jak DDR4. Dzięki zastosowaniu pięciu warstw Samsung zwiększy ogólną wydajność wafla o około 20 procent. Proces 14 nm pozwoli na zmniejszenie zużycia energii o prawie 20 procent w porównaniu do poprzedniej generacji chipów DRAM. Firma podkreśliła znaczenie technologii EUV, w szczególności jej zdolność do poprawy dokładności patterningu w celu zwiększenia wydajności i produktywności.
Zobacz też: To dobry moment, by kupić Surfsharka. 2-letni abonament tego świetnego VPN-a jest teraz dostępny 81% taniej!
Od prawie trzech dekad jesteśmy liderem na rynku DRAM, będąc pionierem w zakresie kluczowych innowacji w technologii patterningu. Dziś Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii dzięki wielowarstwowemu EUV, który umożliwił ekstremalną miniaturyzację w 14 nm. Jest to wyczyn nieosiągalny w konwencjonalnym procesie z użyciem fluorku argonu.
— Jooyoung Lee, starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics.
Samsung ujawnił również plany rozszerzenia portfolio 14nm DDR5, które zapewnią wsparcie dla zastosowań w centrach danych, superkomputerach i serwerach korporacyjnych. Ponadto, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na dane w globalnych systemach IT, gigant technologiczny przewiduje zwiększenie gęstości chipów DRAM do 24 Gb.
Źródło: TechSpot