Nadchodzący proces litograficzny 3 nm Samsunga będzie pierwszym, w którym wykorzystana zostanie technologia tranzystorów gate-all-around (GAA). Producent twierdzi, że pierwsza iteracja tej technologii rozpocznie masową produkcję w 2022 roku. To jednak wciąż za mało, żeby dogonić TSMC, które technologicznie wyprzedza Koreańczyków. Mimo to warto zwrócić uwagę, że różnica ta zdaje się coraz mniejsza, a Samsung coraz lepiej sobie radzi w rozwoju swoich technologii.
Samsung 3 nm GAA w 2022 roku
Harmonogram rozwoju technologi Samsunga na ten rok został zaprezentowany podczas Foundry Forum 2021 w Chinach. Zauważalny był brak na pokazanym slajdzie 3GAE (3nm, GAA-Early), pierwszej iteracji technologii 3 nm Samsunga. 3GAE został pierwotnie ujawniony w 2019 roku wraz z jego następcą, 3GAP (3nm, GAA-Plus), ale tylko ten drugi został pokazany w prezentacji. Warto dodać, że wcześniej zaczęły pojawiać się obawy o rozwój technologii, z resztą nie bezpodstawnie. 3GAE był pierwotnie planowany do produkcji ryzykownej pod koniec 2020 roku i produkcji seryjnej w 2021 roku, ale firma dopiero w zeszłym miesiącu wydała swoje pierwsze testowe chipy 3 nm.
Zobacz też: Xiaomi zadośćuczyniło mężczyźnie, którego Redmi 8 eksplodował
Co więcej, dr Chidi Chidambaram, wiceprezes ds. inżynierii w Qualcomm, największym zewnętrznym kliencie Samsung Foundry, został zacytowany przez SemiAnalysis jako szacujący, że technologia GAA osiągnie produkcję dopiero w latach 2023-24, podczas niedawnego wydarzenia zorganizowanego przez Applied Materials. Warto jednak podkreślić, że TSMC również ma pewnie problemy z rozwojem niższych procesów technologicznych. Mimo to według ekspertów wciąż jest około roku przed Koreańczykami.
Źródło: TechSpot