Nadstała substancja 2D

Samsung ogłosił odkrycie nowego materiału – ma zrewolucjonizować elektronikę

2 minuty czytania
Komentarze

Naukowcy z Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), we współpracy z Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) i University of Cambridge, ujawnili odkrycie nowego materiału, zwanego amorficznym azotkiem boru (a-BN). Informacje jego dotyczące zostały dokładnie opublikowane w czasopiśmie Nature. Według informacji podanych przez producenta odkrycie to ma potencjał na przyspieszenie pojawienia się nowej generacji półprzewodników.

Amorficzny azotek boru przyszłością elektroniki według Samsunga

Amorficzny azotek boru samsung

Ostatnio SAIT pracuje nad badaniami i rozwojem tak zwanych materiałów dwuwymiarowych. Są to materiały z pojedynczą warstwą atomów. Oczywiście, wciąż mają wszystkie wymiary przestrzenne, po prostu nie jest możliwe stworzenie czegoś cieńszego z wykorzystaniem tych samych pierwiastków. Dobrym przykładem jest tu grafen. Nowo odkryty materiał, zwany amorficznym azotkiem boru (a-BN), składa się z boru i atomów azotu o amorficznej strukturze cząsteczkowej. Podczas gdy amorficzny azotek boru pochodzi z tak zwanego białego grafenu, który zawiera atomy boru i azotu ułożone w strukturze heksagonalnej, struktura molekularna a-BN jest bezpostaciowa. 

W ostatnim czasie rośnie zainteresowanie materiałami 2D i nowymi materiałami z nich pochodzącymi. Wciąż jednak istnieje wiele wyzwań związanych z zastosowaniem tych materiałów w istniejących procesach półprzewodnikowych. Będziemy nadal rozwijać nowe materiały, aby poprowadzić zmianę paradygmatu półprzewodników.

— powiedział Seongjun Park, wiceprezes i szef laboratorium materiałów nieorganicznych.

Zobacz też: Edycja zdjęć – jak zacząć i na co zwrócić uwagę?

Amorficzny azotek boru ma najlepszą w klasie ultra niską przenikalność elektryczną. Dzięki temu może być stosowany jako materiał izolacyjny połączeń międzysystemowych w celu zminimalizowania zakłóceń elektrycznych. Dzięki temu będzie możliwe tworzenie jeszcze mniejszych układów scalonych bez obaw o to, że ich poszczególne komponenty będą zakłócały ich pracę. Wykazano również, że materiał ten może być hodowany w stosunkowo niskiej temperaturze jak na tego typu procesy, czyli zaledwie 400°C. Dlatego też oczekuje się, że amorficzny azotek boru będzie szeroko stosowany w półprzewodnikach, takich jak układy pamięci DRAM i NAND.

Źródło: Samsung

Motyw