Naukowcy z Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), we współpracy z Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) i University of Cambridge, ujawnili odkrycie nowego materiału, zwanego amorficznym azotkiem boru (a-BN). Informacje jego dotyczące zostały dokładnie opublikowane w czasopiśmie Nature. Według informacji podanych przez producenta odkrycie to ma potencjał na przyspieszenie pojawienia się nowej generacji półprzewodników.
Amorficzny azotek boru przyszłością elektroniki według Samsunga
Ostatnio SAIT pracuje nad badaniami i rozwojem tak zwanych materiałów dwuwymiarowych. Są to materiały z pojedynczą warstwą atomów. Oczywiście, wciąż mają wszystkie wymiary przestrzenne, po prostu nie jest możliwe stworzenie czegoś cieńszego z wykorzystaniem tych samych pierwiastków. Dobrym przykładem jest tu grafen. Nowo odkryty materiał, zwany amorficznym azotkiem boru (a-BN), składa się z boru i atomów azotu o amorficznej strukturze cząsteczkowej. Podczas gdy amorficzny azotek boru pochodzi z tak zwanego białego grafenu, który zawiera atomy boru i azotu ułożone w strukturze heksagonalnej, struktura molekularna a-BN jest bezpostaciowa.
W ostatnim czasie rośnie zainteresowanie materiałami 2D i nowymi materiałami z nich pochodzącymi. Wciąż jednak istnieje wiele wyzwań związanych z zastosowaniem tych materiałów w istniejących procesach półprzewodnikowych. Będziemy nadal rozwijać nowe materiały, aby poprowadzić zmianę paradygmatu półprzewodników.
— powiedział Seongjun Park, wiceprezes i szef laboratorium materiałów nieorganicznych.
Zobacz też: Edycja zdjęć – jak zacząć i na co zwrócić uwagę?
Amorficzny azotek boru ma najlepszą w klasie ultra niską przenikalność elektryczną. Dzięki temu może być stosowany jako materiał izolacyjny połączeń międzysystemowych w celu zminimalizowania zakłóceń elektrycznych. Dzięki temu będzie możliwe tworzenie jeszcze mniejszych układów scalonych bez obaw o to, że ich poszczególne komponenty będą zakłócały ich pracę. Wykazano również, że materiał ten może być hodowany w stosunkowo niskiej temperaturze jak na tego typu procesy, czyli zaledwie 400°C. Dlatego też oczekuje się, że amorficzny azotek boru będzie szeroko stosowany w półprzewodnikach, takich jak układy pamięci DRAM i NAND.
Źródło: Samsung