Jak donosi koreańskie czasopismo Maeil Economy, Samsungowi udało się stworzyć prototyp pierwszego procesu 3 nm. Według doniesień celem Samsunga jest stać się światowym liderem w produkcji półprzewodników do 2030 roku. Proces 3 nm opiera się na technologii Gate All Around (GAAFET), która różni się od przemysłowego standardu FinFET. Ta zmiana w technologii zmniejsza całkowity rozmiar krzemu o 35%, a jednocześnie pobiera mniej o 50% mniej mocy. Pozwala to na zwiększenie wydajności o 33% w stosunku do procesu FinFET 5 nm.
Samsung ogłasza przełom w procesie 3 nm
Konstrukcja GAAFET jest zbudowana wokół czterech stron kanału. Taka budowa zapewnia redukcję strat energii. Poprawia to kontrolę nad kanałem, co jest podstawowym krokiem przy zmniejszaniu procesu technologicznego. Pozwala na bardziej wydajną konstrukcję tranzystorów w połączeniu z ogólnie mniejszym rozmiarem rdzenia, co umożliwia ogromny skok wydajności na wat. Samsung pierwotnie zamierzał stosować proces GAAFET 4 nm już na początku 2020 roku. Jednak obserwatorzy branżowi, tacy jak wiceprezes Garner, byli sceptycznie nastawieni do masowej produkcji układów tego typu przed rokiem 2022.
Zobacz też: Samsung Galaxy S9 z aktualizacją do Androida 10 z One UI 2 – koniec testów
Jednak ostatnio Wang powiedział, że obecnie wygląda na to, że Samsung wprowadzi do produkcji chipy GAAFET wcześniej, niż początkowo oczekiwał. Pamiętajmy jednak, że wciąż mówimy tutaj jedynie o prototypie. Prace nad udoskonaleniem procesu i eliminacją wszystkich wad mogą potrwać jeszcze długie miesiące. Mam nadzieję, że Samsung osiągnie zamierzone cele. Sytuacja konflikt na linii Chiny — Tajwan może okazać się druzgoczący dla rynku podzespołów komputerowych ze względu na to, że obecny lider rynku, czyli TSMC znajduje się właśnie na tej wyspie.
Źródło: wccftech