Awaria w fabryce Samsunga. Wiele układów pamięci zostało zniszczonych

mm Paweł Maretycz Newsy 2019-11-11

Samsung jest w światowej czołówce, jeśli chodzi o tworzenie półprzewodników. W tyle pozostawia go jedynie TSMC, czyli gigant z Tajwanu. To nie daje mu jednak immunitetu na występowanie poważnych problemów produkcyjnych. Firma twierdzi, że skażenie chemiczne odkryto w jednym z jej zakładów produkcyjnych kilka tygodni temu. Miało to olbrzymi wpływ na produkcję i kosztowało producenta wiele milionów dolarów.

Awaria w fabryce Samsunga

Awaria w fabryce Samsunga

Business Korea donosi, że zanieczyszczenie nastąpiło w fabryce Samsung Electronics Giheung w Korei. Szczęście w nieszczęściu to to, że dotknęło to zakładu produkującego tanie układy w już przestarzałym procesie technologicznym. Mowa tutaj o kościach pamięci operacyjnej DRAM. Nie wpłynie to więc w żadnym stopniu na procesory do smartfonów z serii Exynos. Pracownicy w zakładzie przyznali, że znaleziono wadliwe produkty. Podkreślili jednak, że problem został rozwiązany. Biorąc pod uwagę każdą partię płytek, która była narażona na zanieczyszczenie, wraz z innymi związanymi z tym kosztami, Samsung Electronics szacuje szkody na miliardy koron koreańskich, czyli miliony dolarów.

Zobacz też: [Recenzja] Oppo Reno2 – świetna forma z niepotrzebnymi zmianami

Według wewnętrznych przedstawicieli branży są to dość optymistyczne szacunki firmy. Jedna z osób będących źródłem informacji uważa, że koszty szkód są znacznie wyższe.

Rozumiem, że Samsung nie obliczył jeszcze dokładnej kwoty szkód. Strata może być znacznie większa niż szacunki firmy.

— stwierdziło anonimowe źródło.

Nie jest to pierwszy tego typu przypadek w branży. Na początku tego roku TSMC również doświadczyło podobnego problemu. Z powodu zanieczyszczeń chemicznych dużej partii, bo 10 tysięcy sztuk wafli krzemowych wykonanych w procesie 16 i 12 nm. Dodatkowo została zablokowana produkcja w zakładzie Fab 14 B. Wynikłe z tego tytułu straty oszacowano na 550 milionów dolarów.

Źródło: TechSpot






Przewiń stronę, by przeczytać kolejny wpis
x