Pamięć DFM

Nowy konkurent technologii DRAM – lepsze wyniki to nie gwarancja sukcesu

Paweł Maretycz Paweł Maretycz Artykuły

Unisantis Electronics, startup kierowany przez Fujio Masuokę, czyli wynalazcę pamięci NAND, opracował Dynamic Flash Memory (DFM). Jest to rodzaj pamięci ulotnej, który oferuje czterokrotnie większą gęstość niż dynamiczna pamięć losowego dostępu (DRAM). Co więcej, zapewnia przy tym wyższą wydajność i niższe zużycie energii. Tym samym z technicznego punktu widzenia może być jej następcą, chociaż lepsze osiągi nie muszą przekładać się na sukces rynkowy.

Pamięć DFM

Pamięć DFM

Pamięć DRAM opiera się na tablicach komórek przechowujących ładunek, składających się z jednego kondensatora i jednego tranzystora na bit danych. Kondensatory ładują tranzystory, gdy '1′ jest zapisane w tej komórce i rozładowują, gdy jest w niej zapisane '0′. Tablice są ułożone w poziome linie słów i pionowe linie bitów. Każda kolumna komórek składa się z dwóch linii bitowych '+’ i ’-’, które są połączone z ich własnymi wzmacniaczami sygnału, które są używane do odczytu/zapisu danych z/do komórek. Zarówno operacje odczytu, jak i zapisu są wykonywane na liniach bitowych, a adresowanie pojedynczego bitu jest niemożliwe. W całej historii pamięci DRAM producenci koncentrowali się na zmniejszaniu rozmiarów komórek pamięci poprzez stosowanie nowych technologii ich budowy i niższych procesów technologicznych. Dzięki temu zwiększają oni pojemność układów, a także poprawiają ich wydajność, jednocześnie zmniejszając zużycie energii. 

Zobacz też: Sony ma pomysł na to, jak dopasować poziom trudności do gracza

Układy DFM podchodzą do tego zupełnie inaczej. Wykorzystują one tranzystory SGT (Dual Gate Surrounding Gate Transistor), co pozwala na zrezygnowanie z kondensatorów. Dodatkowo stosuje się w nich struktury komórek o wzmocnieniu 4F2 (które są mniejsze niż 6F2 używane obecnie przez DRAM), co zwiększa gęstość pamięci nawet czterokrotnie. DFM nie jest pierwszym w branży bezkondensatorowym typem pamięci o dostępie swobodnym (RAM), ale poprzednie próby były nieudane. Według twórcy, w przeciwieństwie do ZRAM (gdzie marginesy między 1 i 0 były zbyt wąskie), jego DFM znacznie zwiększył wyniki marginesów '1′ i '0′, zwiększając prędkości i poprawiając niezawodność komórki pamięci.

Czeka nas rewolucja?

Niekoniecznie. Firma opracowała technologię, jednak nie zamierza sama produkować układów tego typu. To oznacza, że pamięci DFM pojawią się na rynku tylko wtedy, gdy Unisantis zdoła przekonać branżę do przyjęcia jej dynamicznej pamięci flash. Pocieszające jest to, że DFM wykorzystuje konwencjonalne materiały CMOS i nie wymaga bardzo wyrafinowanych metod produkcji. To natomiast może zachęcić producentów do komercyjnego wprowadzenia technologii w życie. Dodatkowo Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT), które również zostały opracowane przez firmę, mogą być licencjonowane osobno. Sama ich technologia ma natomiast o wiele większy potencjał, niż tylko do budowy pamięci ulotnej.

Zobacz też: Powrót sterowców? Ich rola może być kluczowa w zero emisyjnej przyszłości

Z drugiej strony jednak sama prosta konstrukcja pamięci nie musi oznaczać, że będzie ona kompatybilna z obecnymi kontrolerami na płytach głównych czy z procesorami. Nawet gdyby taki układ pamięci był fizycznie zgodny ze slotem DDR4, to nie oznacza, że by działał na współczesnej maszynie.

Źródło: Tomshardware

Sprawdź najlepsze prezenty na komunię

Partner poradnika:

Kup prezent na komunię z apką PAYBACK i zgarnij punkty
Impression Tag
Sprawdź najnowsze wpisy