samsung galaxy s6 edge microsd

UFS się rozwija – nawet 512 GB pamięci i ogromne prędkości

1 minuta czytania
Komentarze

Komputery są równie szybkie, co ich najwolniejszy element. Oczywiście tyczy się to również smartfonów i w większości przypadków tym podzespołem jest wbudowana pamięć. Jednak pojawienie się technologii UFS 2.0 sprawiło, że pierwsze urządzenie mobilne zdeklasowało pod tym względem konkurencje. Oczywiście był nim Samsung Galaxy S6, który wszystkie telefony z pamięciami eMMC 5.1 po prostu zostawił w tyle. Dzisiaj większość flagowych modeli korzysta z tego rozwiązania i niedługo czeka nas kolejny skok szybkości.

Firma Silicon Motion przedstawiła nowe kontrolery UFS 2.1 potrafiące obsłużyć aż 512 GB pamięci. Dotychczas granicą było 256 GB. Jednak nie tylko przestrzeń na pliki jest ważna. Liczy się liczba wykonywanych operacji w danym czasie – operacje wejścia wyjścia na sekundę (IOPS). UFS 2.0 cechowało się 19000 IOPS (odczyt) i 14000 IOPS (zapis). Ten wynik już stanowił ogromną różnicę w stosunku do eMMC 5.1 (13000/11000 IOPS), więc poznajmy możliwości nowej technologii – 50000/40000 IOPS. Te wyniki oczywiście nie są jeszcze zbliżone do dysków SSD, ale już dawno pokonały HDD.

Kiedy możemy spodziewać się smartfonów z 512 GB wbudowanej pamięci UFS 2.1? Najprawdopodobniej dopiero w przyszłym roku, gdyż Silicon Motion już rozmawia z wybranymi producentami.

źródło: Digitimes

Motyw